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以十二烷基苯磺酸钠(SDBS)作为发泡剂,凝胶注模结合发泡法制备多孔氧化铝陶瓷.研究了发泡剂SDBS的添加量对多孔氧化铝陶瓷的气孔率、孔径尺寸及气孔分布和抗弯强度的影响.研究结果表明,在一定范围内随发泡剂SDBS添加量的增加,总气孔率和闭气孔率会有明显的上升趋势,孔径尺寸差异逐渐变小,气孔分布的均匀性逐渐变好.当SDBS的添加量超过1.0wt% 后,气孔率虽然无明显变化,但是样品孔径尺寸及气孔分布的均匀性均变差,样品的抗弯强度随着SDBS用量的增加有明显降低的趋势.当SDBS的添加量为1.0wt% 时,可以制备出闭气孔率为49%,抗弯强度为35 MPa,孔径尺寸及气孔分布均匀的多孔氧化铝陶瓷. 相似文献
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为解决蒋家河煤矿采空区瓦斯涌出量大、上隅角瓦斯超限和回风平巷风排瓦斯量大等问题,提出了本煤层预抽、专用瓦斯抽放巷抽采和上隅角埋管抽采瓦斯相结合的方法对该矿ZF202综放工作面进行瓦斯治理,进行了现场实测和瓦斯抽采效果分析。结果表明,本煤层预抽后,瓦斯含量由7.92 m^3/t下降为4.21 m^3/t,瓦斯压力由0.72 MPa下降为0.38 MPa;上隅角瓦斯浓度由0.78%下降至0.4%左右。通过对比,专用瓦斯抽放巷的抽采纯量是高位钻孔的2.5倍,抽采效果好于高位钻孔,使工作面和上隅角瓦斯浓度保持较低水平,有效地解决了特厚煤层综放工作面瓦斯超限问题,为安全生产提供了重要保障。 相似文献
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针对两种布置形式(水平布置和对角布置)的串列双方柱,通过同步测压风洞试验,在雷诺数为Re = 8.0×104、间距比为P/B = 1.75 ~ 5.00(其中P为方柱中心间距、B为方柱边长)条件下,得到了两种布置形式串列双方柱的表面风压,重点研究了对角串列双方柱的气动力、风压分布、Strouhal数等气动性能随方柱间距的变化规律,并与水平串列双方柱进行比较。水平串列双方柱的气动力在P/B = 3.00 ~ 3.50时会发生跳跃现象,下游方柱的平均阻力由负值突变为正值,而对角下游方柱平均阻力系数则均为负值。结果表明:当P/B<3.00时,对角串列双方柱的平均和脉动气动力系数、最大平均负压强度和脉动风压系数均大于水平串列双方柱,而当P/B > 3.00时则情况相反;对角串列双方柱的Strouhal数明显小于相同间距下的水平串列双方柱,且在P/B <3.00时对角串列双方柱的升力功率谱出现了多个峰值。 相似文献
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在天然海水侵蚀和冻融循环作用下,与普通混凝土对比,对掺加磨细矿渣(GGBS)海工混凝土的抗冻性和抗氯离子渗透性的耦合性能(简称冻渗性)以及孔结构的细观性能进行了研究.用R值代表混凝土冻渗性指标进行分析讨论,结果表明:掺加磨细矿渣的混凝土,无论掺加引气剂与否,水胶比增大,R值逐渐减小;不掺引气剂,矿粉掺量增大,R值减小;掺加引气剂,矿粉掺量增大,R值增大;引气剂掺量增大,R值增大,但引气剂掺量超过一定极限,R值增长不明显;抗压强度等级在40~60 MPa范围内,其强度值与R值没有明显的规律性.MIP结果表明:掺加矿粉和引气剂的海工混凝土经过冻渗后,无害孔和少害孔的数量较多;R值与最可几孔径大小有明显的反比关系. 相似文献
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The microstructure and the array accuracy of the etched vias of the silicon-basedsubstrate integrated waveguide filter (SIWF) are crucial to the electromagnetic performance and the reliability of the silicon-based SIWF. In this paper, three different etching methods, including potassiumhydroxide etching, picosecond UV laser etching, and inductively coupled plasma (ICP) etching are utilized to etch via arrays onhigh resistivity [100]-siliconsubstrates. The profiles and the array accuracy of the vias are measured by optical critical dimension and the micromorphology of the vias is characterized byscanning electron microscopy (SEM), on the basis of which the effects of different deep etching methods on the microstructure of the viasidewall of the silicon-based SIWF are studied. The results indicate that the microstructure of the vias etched by the inductively coupled plasma etching method is the best. Meanwhile, this kind of vias has the highest array accuracy and the lowest roughness. So, under the current condition of process equipment and technical level, ICP etching is the optimal method for manufacturing deep via arrays of the silicon-based SIWF. 相似文献
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通过对涂层浆粘度,涂层织物的着色性能、织物风格和印刷性能等的测定,研究涂层浆组分、用量、反应温度与反应时间、涂层浆温度及焙烘工艺对涂层浆和涂层织物性能的影响。确定适宜的工艺,涂层浆组分为:甲醇100g,无水氯化钙40g,黑色尼龙6颗粒20g,炭黑301为2g,染料S-RR为6g,助剂TS100为1.0g;涂层工艺为:无水氯化钙和黑色尼龙6在甲醇溶剂中的反应温度为65℃,反应时间分别为10min和90min,涂层浆温度为40℃,焙烘温度和时间:150℃×60s。经上述工艺条件可成功制备出黑色湿法涂层商标织物。 相似文献